Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFIZ24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: N, 55 В, Q1: N, 70mΩ / 10V, 13 А


IRFIZ24N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFIZ24N

Наименование IRFIZ24N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 30771
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFIZ24N, доступные на складе

  • Изображение  STF20NF06L

    STF20NF06L
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 20 А; Rси(вкл): 70 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 7.5 нКл

  • Изображение  IRFIZ24NPBF

    IRFIZ24NPBF
    INFIN

    MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:14A; Resistance, Rds On:0.07ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:68A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
23,30 руб
от 148 шт. 20,00 руб
от 322 шт. 18,40 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом