Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFS17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse64A
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMD17N20
Power Dissipation140W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd140W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Width, External10.54mm


Параметры IRFS17N20DPBF

Наименование IRFS17N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 304489
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFS17N20DPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
154,00 руб
от 23 шт. 132,00 руб
от 50 шт. 121,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом