Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFS17N20DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse64A
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMD17N20
Power Dissipation140W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd140W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Width, External10.54mm


Параметры IRFS17N20DPBF

НаименованиеIRFS17N20DPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул304489
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Rds(on) @ Vgs

Документация для IRFS17N20DPBF

Аналоги IRFS17N20DPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
174,00 руб
от 8 шт. 153,00 руб
от 23 шт. 131,00 руб
от 50 шт. 120,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом