Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STW55NM60ND, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Iс(25°C) 51 А
Rси(вкл) 60 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 190 нКл
Pрасс 350 Вт


STW55NM60ND, STMicroelectronics

Параметры STW55NM60ND

Наименование STW55NM60ND
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 302159
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги STW55NM60ND, доступные на складе

  • Изображение  IPW60R060C7XKSA1

    IPW60R060C7XKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The new 600V CoolMOS ™ C7 series from Infineon offers a ~50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the Cool…

  • Изображение  IPW60R041P6FKSA1

    IPW60R041P6FKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 600V, 77.5A, TO-247

Изображения STW55NM60ND

STW55NM60ND, STMicroelectronics STW55NM60ND, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
702,00 руб
от 2 шт. 615,00 руб
от 6 шт. 527,00 руб
от 13 шт. 484,00 руб
Наличие на складе
212 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом