Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB21NM60ND, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 17 А
Rси(вкл) 0.22 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 66 нКл


STB21NM60ND, STMicroelectronics

Параметры STB21NM60ND

Наименование STB21NM60ND
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 301795
Vgs для измерения Rds(on)
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Изображения STB21NM60ND

STB21NM60ND, STMicroelectronics STB21NM60ND, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
193,00 руб
от 8 шт. 169,00 руб
от 22 шт. 145,00 руб
от 47 шт. 133,00 руб
Наличие на складе
283 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом