Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB21NM60ND, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 17 А
Rси(вкл) 0.22 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 66 нКл


STB21NM60ND, STMicroelectronics

Параметры STB21NM60ND

Наименование STB21NM60ND
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 301795
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Изображения STB21NM60ND

STB21NM60ND, STMicroelectronics STB21NM60ND, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
162,00 руб
от 22 шт. 139,00 руб
от 47 шт. 127,00 руб
Наличие на складе
273 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом