Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF840B, Fairchild Semiconductor Corp.

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont8A
Resistance, Rds On0.65ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse32A
Device MarkingIRF840B
Length / Height, External4.83mm
Pins, No. of3
Power Dissipation134W
Power, Pd134W
Resistance, Rds on Max0.8ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External10.67mm


IRF840B, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры IRF840B

Наименование IRF840B
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 299217
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Аналоги IRF840B, доступные на складе

  • Изображение  SPP04N50C3HKSA1

    SPP04N50C3HKSA1
    INFIN

    500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is 500V CoolMOS™ CE >> Click & go to 500V CoolMOS™ CE Возможности

  • Изображение  STP5N52K3

    STP5N52K3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 525 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

  • Изображение  STP7N52K3

    STP7N52K3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 6.3 А; Rси(вкл): 0.98 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 90 Вт

  • Изображение  STP9NK50Z

    STP9NK50Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.2 А; Rси(вкл): 0.85 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
40,10 руб
от 100 шт. 34,40 руб
от 200 шт. 31,60 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом