Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF840B, Fairchild Semiconductor Corp.

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont8A
Resistance, Rds On0.65ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse32A
Device MarkingIRF840B
Length / Height, External4.83mm
Pins, No. of3
Power Dissipation134W
Power, Pd134W
Resistance, Rds on Max0.8ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External10.67mm


IRF840B, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры IRF840B

Наименование IRF840B
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 299217
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF840B, доступные на складе

  • Изображение  STP7N52K3

    STP7N52K3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 6.3 А; Rси(вкл): 0.98 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 90 Вт

  • Изображение  STP5N52K3

    STP5N52K3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 525 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

  • Изображение  STP9NK50Z

    STP9NK50Z
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 7.2 А; Rси(вкл): 0.85 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл

  • Изображение  SPP04N50C3HKSA1

    SPP04N50C3HKSA1
    INFIN

    500V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is 500V CoolMOS™ CE >> Click & go to 500V CoolMOS™ CE Возможности

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
46,90 руб
от 30 шт. 41,00 руб
от 100 шт. 35,20 руб
от 200 шт. 32,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом