Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRL3102S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont61A
Resistance, Rds On0.013ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse240A
Depth, External15.49mm
Length / Height, External4.69mm
Power Dissipation89W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.7W
Power, Pd89W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max2.5V
Width, External10.54mm


IRL3102S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3102S

Наименование IRL3102S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 29433
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRL3102S, доступные на складе

  • Изображение  IRL3102STRL

    IRL3102STRL
    INFIN

    MOSFET: N, 20 В, Q1: N, 15mΩ / 4.5V, 61 А

  • Изображение  IRL3102SPBF

    IRL3102SPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 20V, 61A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:61A; Resistance, Rds On:0.013ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:7V; Voltage, Vgs th Typ:0.7V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:240A; Depth, External:15.49mm; Length / Height, External:4.69mm; Power Dissipation:89W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

Изображения IRL3102S

IRL3102S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3102S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3102S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
47,40 руб
от 73 шт. 40,60 руб
от 158 шт. 37,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом