Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5810TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, DUAL, P, TSOP-6

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityDual P
Voltage, Vds Typ-20V
Current, Id Cont2.9A
Resistance, Rds On0.09ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-4.5V
Voltage, Vgs th Typ-1.2V
Case StyleTSOP
Termination TypeSMD
Application CodeLowR
Current, Id Cont @ 25°C2.9A
Current, Id Cont @ 70°C2.3
Current, Idm Pulse11A
Power, Pd0.96W
Thermal Resistance, Junction to Case A62.5°C/W
Voltage, Rds Measurement4.5V
Voltage, Vds20V
Voltage, Vds Max20V


Параметры IRF5810TRPBF

Наименование IRF5810TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 293549
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

Документация для IRF5810TRPBF

Аналоги IRF5810TRPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,10 руб
от 190 шт. 15,60 руб
от 413 шт. 14,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом