Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJE13003G, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

1.5 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor


MJE13003G, On Semiconductor

Параметры MJE13003G

Наименование MJE13003G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 290479
Макс. рабочая частота
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус

Аналоги MJE13003G, доступные на складе

  • Изображение  MJE13003L-C-T60-K

    MJE13003L-C-T60-K
    UTC

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN TO-126; Transistor Type:Power High Voltage Switching; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:1.5A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Hfe, Min:5; ft, Typ:10MHz; Case Style:TO-126; Current, Ic @ Vce Sat:1A; Current, Ic Max:1.5A; Current, Ic av:1.5A; Current, Ic hFE:1mA; Pins, No.…

  • Изображение  ST13003-K

    ST13003-K
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 700 В; UКЭ(пад): 1.5 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 40 Вт; h21: 5...25

  • Изображение  MJE13003-BP

    MJE13003-BP
    MCC

    Склад (1-2 дн)

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом