Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJE13003G, On Semiconductor

1.5 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor


MJE13003G, On Semiconductor

Параметры MJE13003G

НаименованиеMJE13003G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул290479
DC коэффициент усиления по току hFE
Граничная рабочая частота
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
Напряжение КЭ макс.
Тип проводимости и конфигурация
Корпус

Аналоги MJE13003G, доступные на складе

  • Изображение  MJE13003L-C-T60-K

    MJE13003L-C-T60-K
    UTC

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN TO-126; Transistor Type:Power High Voltage Switching; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:400V; Current, Ic Continuous a Max:1.5A; Voltage, Vce Sat Max:1V; Hfe, Min:5; ft, Typ:10MHz; Case Style:TO-126; Current, Ic @ Vce Sat:1A; Current, Ic Max:1.5A; Current, Ic av:1.5A; Current, Ic hFE:1mA; Pins, No.…

  • Изображение  MJE13003-BP

    MJE13003-BP
    MCC

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  ST13003-K

    ST13003-K
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 700 В; UКЭ(пад): 1.5 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 40 Вт; h21: 5...25

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом