Терраэлектроника

IRF820PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 500V, 2.5A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:500V; Current, Id Cont:2.5A; Resistance, Rds On:3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:10A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:40W; Power, Pd:40W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.5°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:500V


IRF820PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRF820PBF

НаименованиеIRF820PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул290013
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
32,50 руб
от 50 шт. 28,40 руб
от 100 шт. 24,40 руб
от 250 шт. 22,40 руб
Наличие на складе
1159 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом