Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF820PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 500V, 2.5A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:500V; Current, Id Cont:2.5A; Resistance, Rds On:3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:10A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:40W; Power, Pd:40W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.5°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:500V


IRF820PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRF820PBF

Наименование IRF820PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 290013
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
30,70 руб
от 100 шт. 26,30 руб
от 250 шт. 24,20 руб
Наличие на складе
1716 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом