Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF820PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 500V, 2.5A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:500V; Current, Id Cont:2.5A; Resistance, Rds On:3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:10A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:40W; Power, Pd:40W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.5°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:500V


IRF820PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRF820PBF

НаименованиеIRF820PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул290013
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
31,10 руб
от 50 шт. 27,20 руб
от 150 шт. 23,30 руб
от 250 шт. 21,40 руб
Наличие на складе
958 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом