Терраэлектроника

BYW29-200G, On Semiconductor

Diode

Diode TypeFast Recovery
Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm200V
Forward Current Avg Rectified, IF(AV)8A
Forward Surge Current Max, Ifsm100A
Reverse Recovery Time, trr35ns
Forward Voltage Max, VF1.3V


Параметры BYW29-200G

НаименованиеBYW29-200G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул289729
Корпус
Прямое напряжение
Прямой ток диода (средний)
Кол-во диодов в корпусе
Тmin,°C
Тмакс,°C
Макс. обратное напряжение диода
Uобр макс, В
Iпр пост, А
Кол. диодов в корпусе
Uпр, В
tвосс, нс
Ток Ifsm Макс
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Серия
Тип диода

Аналоги BYW29-200G, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
23,00 руб
от 50 шт. 20,10 руб
от 150 шт. 17,30 руб
от 350 шт. 15,80 руб
Наличие на складе
1714 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом