Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7807VD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

FETKY. Полевой транзистор+Шоттки-диод. 30V.8.3A


IRF7807VD1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7807VD1

Наименование IRF7807VD1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 28959
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF7807VD1, доступные на складе

  • Изображение  IRF7807VD1PBF

    IRF7807VD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, FETKY, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:8.3A; Resistance, Rds On:0.017ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Max:66A; Current, Idm Pulse:66A; Current, If AV:3.5A; Marking, SMD:807VD1; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
85,00 руб
от 17 шт. 74,50 руб
от 48 шт. 64,00 руб
от 105 шт. 58,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом