Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR12N25DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 250V, 14A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont14A
Resistance, Rds On0.26ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse56A
Power Dissipation144W
Power, Pd144W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V260ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.04°C/W
Voltage, Vds Max250V


IRFR12N25DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR12N25DPBF

Наименование IRFR12N25DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 285932
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFR12N25DPBF, доступные на складе

Изображения IRFR12N25DPBF

IRFR12N25DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR12N25DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR12N25DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
87,00 руб
от 40 шт. 74,50 руб
от 75 шт. 68,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом