Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD122T4G, On Semiconductor

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


MJD122T4G, On Semiconductor

Параметры MJD122T4G

Наименование MJD122T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 285158
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.

Аналоги MJD122T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD122G

    MJD122G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

  • Изображение  MJD122T4

    MJD122T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; h21: 100...12000

  • Изображение  MJD122

    MJD122
    ONS

    TRANSISTOR, DARLINGTON D-PAK; Transistor Type:Power Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-252 (D-Pak); Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD122; Power, Ptot:20W; Transistors, No.…

Изображения MJD122T4G

MJD122T4G, On Semiconductor MJD122T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
20,70 руб
от 68 шт. 18,20 руб
от 197 шт. 15,60 руб
от 429 шт. 14,30 руб
Наличие на складе
3365 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом