Терраэлектроника

MJD122T4G, On Semiconductor

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


MJD122T4G, On Semiconductor

Параметры MJD122T4G

НаименованиеMJD122T4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул285158
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD122T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD122T4

    MJD122T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; h21: 100...12000

  • Изображение  MJD122G

    MJD122G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

  • Изображение  MJD122

    MJD122
    ONS

    TRANSISTOR, DARLINGTON D-PAK; Transistor Type:Power Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-252 (D-Pak); Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD122; Power, Ptot:20W; Transistors, No.…

Изображения MJD122T4G

MJD122T4G, On Semiconductor MJD122T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
19,00 руб
от 71 шт. 16,60 руб
от 206 шт. 14,30 руб
от 449 шт. 13,10 руб
Наличие на складе
963 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом