Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD122T4G, On Semiconductor

8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


MJD122T4G, On Semiconductor

Параметры MJD122T4G

Наименование MJD122T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 285158
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD122T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD122

    MJD122
    ONS

    TRANSISTOR, DARLINGTON D-PAK; Transistor Type:Power Darlington; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Hfe, Min:1000; Case Style:TO-252 (D-Pak); Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD122; Power, Ptot:20W; Transistors, No.…

  • Изображение  MJD122T4

    MJD122T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; h21: 100...12000

  • Изображение  MJD122G

    MJD122G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

Изображения MJD122T4G

MJD122T4G, On Semiconductor MJD122T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,70 руб
от 186 шт. 16,00 руб
от 404 шт. 14,70 руб
Наличие на складе
154 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом