Терраэлектроника

IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ600V
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On2.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse12A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation74W
Power, Pd74W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max600V


IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFBC30PBF

НаименованиеIRFBC30PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул284769
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора

Аналоги IRFBC30PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFBC30PBF

    IRFBC30PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:3.6A; Resistance, Rds On:2.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:12A; Pins, No.…

Изображения IRFBC30PBF

IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом