Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ600V
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On2.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse12A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation74W
Power, Pd74W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max600V


IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFBC30PBF

НаименованиеIRFBC30PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул284769
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги IRFBC30PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFBC30PBF

    IRFBC30PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:3.6A; Resistance, Rds On:2.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:12A; Pins, No.…

Изображения IRFBC30PBF

IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом