Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ600V
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On2.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse12A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation74W
Power, Pd74W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max600V


IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFBC30PBF

Наименование IRFBC30PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 284769
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFBC30PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFBC30PBF

    IRFBC30PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:3.6A; Resistance, Rds On:2.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:12A; Pins, No.…

Изображения IRFBC30PBF

IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFBC30PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом