Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD31CT4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 1.2 В
IК(макс) 3 А
Pрасс 15 Вт
h21 10...50


Параметры MJD31CT4

Наименование MJD31CT4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 284698
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic

Аналоги MJD31CT4, доступные на складе

  • Изображение  MJD31CG

    MJD31CG
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:10; ft, Typ:3MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Application Code:PGP; Current, Ic Max:3A; Current, Ic hFE:1A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD31C; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,60 руб
от 85 шт. 14,60 руб
от 246 шт. 12,50 руб
от 535 шт. 11,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом