Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD32CT4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 1.2 В
IК(макс) 3 А
Pрасс 15 Вт
h21 10...50


Параметры MJD32CT4

Наименование MJD32CT4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 284697
Макс. рабочая частота
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация

Аналоги MJD32CT4, доступные на складе

  • Изображение  MJD32CT4G

    MJD32CT4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
11,20 руб
от 123 шт. 9,80 руб
от 359 шт. 8,40 руб
от 781 шт. 7,80 руб
Наличие на складе
4644 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом