Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD32CT4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 1.2 В
IК(макс) 3 А
Pрасс 15 Вт
h21 10...50


Параметры MJD32CT4

НаименованиеMJD32CT4
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул284697
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD32CT4, доступные на складе

  • Изображение  MJD32CT4G

    MJD32CT4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
10,90 руб
от 123 шт. 9,60 руб
от 358 шт. 8,20 руб
от 780 шт. 7,50 руб
Наличие на складе
2274 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом