Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD32CT4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 1.2 В
IК(макс) 3 А
Pрасс 15 Вт
h21 10...50


Параметры MJD32CT4

Наименование MJD32CT4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 284697
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD32CT4, доступные на складе

  • Изображение  MJD32CT4G

    MJD32CT4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
9,10 руб
от 381 шт. 7,80 руб
от 830 шт. 7,10 руб
Наличие на складе
4619 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом