Терраэлектроника

TPS3808G01DBVT, Texas Instruments

SUPERVISORY CCT, 3808G01, SOT-23-6

Voltage, Turn On Threshold405mV
Current, Supply2.7чA
Reset TypeActive-Low
Current, Output Max5mA
Output TypeOpen Drain
Voltage, Supply Min1.7V
Voltage, Supply Max6.5V
Termination TypeSMD
Case StyleSOT-23
Pins, No. of6
Temperature, Operating Range-40°C to +125°C
Temp, Op. Max125°C
Temp, Op. Min-40°C
Base Number3808
IC Generic Number3808G01
Logic Function Number01
Voltage, Input Max6.5V
Voltage, Input Min1.8V


TPS3808G01DBVT, Texas Instruments

Параметры TPS3808G01DBVT

НаименованиеTPS3808G01DBVT
ПроизводительTexas Instruments (TI)
Артикул284304
Корпус
Количество входов
Пороговое напряжение
Мин. температура
Макс. температура
Напряжение питания Мин
Напряжение питания Макс
Тип сброса
Кол-во выводов
Время задержки

Аналоги TPS3808G01DBVT, доступные на складе

  • Изображение  TPS3808G01DBVRG4

    TPS3808G01DBVRG4
    TI

    Low Quiescent Current, Programmable-Delay Supervisory Circuit 6-SOT-23 -40 to 125

  • Изображение  TPS3808G01DBVR

    TPS3808G01DBVR
    TI

    Склад (1-2 дн)

    IC, SUPERVISOR CIRCUIT; Voltage, Turn On Threshold:405mV; Current, Supply:2.7чA; Reset Type:Manual, Active-Low; Current, Output Max:5mA; Output Type:Open Drain; Voltage, Supply Min:1.7V; Voltage, Supply Max:6.5V; Termination Type:SMD; Case Style:SOT-23; Pins, No.…

  • Изображение  TPS3808G01DBVTG4

    TPS3808G01DBVTG4
    TI

    SUPERVISORY CCT, SMD, 3808, SOT236; Voltage, Turn On Threshold:405mV; Current, Supply:2.7чA; Reset Type:Active-Low; Current, Output Max:5mA; Output Type:Open Drain; Voltage, Supply Min:1.7V; Voltage, Supply Max:6.5V; Termination Type:SMD; Case Style:SOT-23; Pins, No.…

Средства разработки для TPS3808G01DBVT

Изображения TPS3808G01DBVT

TPS3808G01DBVT, Texas Instruments TPS3808G01DBVT, Texas Instruments TPS3808G01DBVT, Texas Instruments
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
143,00 руб
от 10 шт. 125,00 руб
от 28 шт. 107,00 руб
от 60 шт. 98,00 руб
Наличие на складе
634 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом