Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6614TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, 40V, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont12.7A
Resistance, Rds On5.9mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Base Number6614
Current, Idm Pulse102A
Marking, SMD2.1
Power Dissipation2.1mW
Voltage, Vds40V
Voltage, Vgs th Max2.25V
Voltage, Vgs th Min1.35V


Параметры IRF6614TR1PBF

НаименованиеIRF6614TR1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул281649
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF6614TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6614TRPBF

    IRF6614TRPBF
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET,

  • Изображение  IRF6614TR1

    IRF6614TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, ST; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:55A; Resistance, Rds On:8.3mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:ST; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:2560pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:5.5nC; Current, Idm Pulse:102A; Depth, External:4.85mm; IC Package (Case style):ST; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6614; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
127,00 руб
от 11 шт. 111,00 руб
от 31 шт. 94,50 руб
от 68 шт. 87,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом