Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6614TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, 40V, ST

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ40V
Current, Id Cont12.7A
Resistance, Rds On5.9mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleST
Termination TypeSMD
Base Number6614
Current, Idm Pulse102A
Marking, SMD2.1
Power Dissipation2.1mW
Voltage, Vds40V
Voltage, Vgs th Max2.25V
Voltage, Vgs th Min1.35V


Параметры IRF6614TR1PBF

Наименование IRF6614TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 281649
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id

Аналоги IRF6614TR1PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF6614TR1

    IRF6614TR1
    INFIN

    MOSFET, N, DIRECTFET, ST; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:55A; Resistance, Rds On:8.3mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:ST; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:2560pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:5.5nC; Current, Idm Pulse:102A; Depth, External:4.85mm; IC Package (Case style):ST; Length / Height, External:0.7mm; Marking, SMD:6614; Pins, No.…

  • Изображение  IRF6614TRPBF

    IRF6614TRPBF
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
112,00 руб
от 31 шт. 95,50 руб
от 68 шт. 87,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом