Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFBE30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 800V, 4.1A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ800V
Current, Id Cont4.1A
Resistance, Rds On3ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse16A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation125W
Power, Pd125W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max800V


IRFBE30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFBE30PBF

НаименованиеIRFBE30PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул280777
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFBE30PBF, доступные на складе

  • Изображение  STP8NK80Z

    STP8NK80Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 6.2 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 46 нКл

Изображения IRFBE30PBF

IRFBE30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBE30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBE30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
66,00 руб
от 21 шт. 57,50 руб
от 50 шт. 49,40 руб
от 150 шт. 45,40 руб
Наличие на складе
1799 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом