Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFZ34NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 55V, 29A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont29A
Resistance, Rds On0.04ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse100A
Marking, SMDFZ34NS
Power Dissipation68W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd68W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A2.2°C/W
Voltage, Vds55V
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V


Параметры IRFZ34NSPBF

Наименование IRFZ34NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 280754
Ток стока Id
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFZ34NSPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
43,00 руб
от 33 шт. 37,60 руб
от 100 шт. 32,30 руб
от 200 шт. 29,60 руб
Наличие на складе
265 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом