Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFS59N10DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont59A
Resistance, Rds On0.025ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse236A
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMD59N10
Power Dissipation200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Width, External10.54mm


Параметры IRFS59N10DPBF

Наименование IRFS59N10DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 280670
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)

Аналоги IRFS59N10DPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом