Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGPS60B120KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 1200V. 120A.


IRGPS60B120KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGPS60B120KD

НаименованиеIRGPS60B120KD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул28059
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRGPS60B120KD, доступные на складе

  • Изображение  IRGPS60B120KDP

    IRGPS60B120KDP
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, W/DIODE, 1200V, 105A, SUPER247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:105A; Voltage, Vce Sat Max:2.75V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1250,00 руб
от 2 шт. 1090,00 руб
от 4 шт. 932,00 руб
от 7 шт. 856,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом