Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF540ZSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 36A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont36A
Resistance, Rds On0.0265ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse140A
Power Dissipation92W
Power, Pd92W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.0265ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.64°C/W
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V


Параметры IRF540ZSPBF

НаименованиеIRF540ZSPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул280363
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IRF540ZSPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF530NSPBF

    IRF530NSPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 17A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:17A; Resistance, Rds On:0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:60A; Marking, SMD:IRF530NS; Power Dissipation:79W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRF540SPBF

    IRF540SPBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:28A; On Resistance, Rds(on):77mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK

  • Изображение  IRF540NS

    IRF540NS
    INFIN

    MOSFET, N D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:33A; Resistance, Rds On:0.052ohm; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:110A; Marking, SMD:IRF540NS; Power Dissipation:140W; Power Dissipation, on 1 Sq. PCB:3.8W; Power, Pd:140W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Voltage, Vds:100V; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:4V

  • Изображение  IRF530NSTRRPBF

    IRF530NSTRRPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

  • Изображение  IRF540NSPBF

    IRF540NSPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 33A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:33A; Resistance, Rds On:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:110A; Marking, SMD:IRF540NS; Power Dissipation:140W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRF530NSTRLPBF

    IRF530NSTRLPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

Показать все сопутствующие товары
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
87,00 руб
от 16 шт. 76,00 руб
от 50 шт. 65,00 руб
от 100 шт. 60,00 руб
Наличие на складе
598 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом