Терраэлектроника

STP8NK80Z, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 800 В
Iс(25°C) 6.2 А
Rси(вкл) 1.5 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 46 нКл


STP8NK80Z, ST Microelectronics

Параметры STP8NK80Z

НаименованиеSTP8NK80Z
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул279214
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Корпус
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги STP8NK80Z, доступные на складе

  • Изображение  IRFBE30PBF

    IRFBE30PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 800V, 4.1A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:4.1A; Resistance, Rds On:3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:16A; Pins, No.…

Изображения STP8NK80Z

STP8NK80Z, ST Microelectronics STP8NK80Z, ST Microelectronics STP8NK80Z, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
78,00 руб
от 19 шт. 68,50 руб
от 50 шт. 58,50 руб
от 100 шт. 53,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом