Терраэлектроника

MJD32CT4G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Voltage, Vce Sat Max1.2V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Complementary DeviceMJD31CT4G
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE3A
Current, Icm Peak5A
Voltage, Vcbo100V


MJD32CT4G, On Semiconductor

Параметры MJD32CT4G

НаименованиеMJD32CT4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул278497
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD32CT4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD32CG

    MJD32CG
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:-1.2V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:10; ft, Typ:3MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Ic Max:3A; Current, Ic hFE:1A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD32C; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

  • Изображение  MJD32CT4

    MJD32CT4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 15 Вт; h21: 10...50

Изображения MJD32CT4G

MJD32CT4G, On Semiconductor MJD32CT4G, On Semiconductor MJD32CT4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,00 руб
от 110 шт. 11,50 руб
от 320 шт. 9,80 руб
от 697 шт. 9,00 руб
Наличие на складе
2126 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом