Терраэлектроника

MJD32CT4G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Voltage, Vce Sat Max1.2V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Complementary DeviceMJD31CT4G
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE3A
Current, Icm Peak5A
Voltage, Vcbo100V


MJD32CT4G, On Semiconductor

Параметры MJD32CT4G

НаименованиеMJD32CT4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул278497
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD32CT4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD32CT4

    MJD32CT4
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 15 Вт; h21: 10...50

  • Изображение  MJD32CG

    MJD32CG
    ONS

    TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:-1.2V; Power Dissipation:1.56W; Hfe, Min:10; ft, Typ:3MHz; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Ic Max:3A; Current, Ic hFE:1A; Depth, External:10.28mm; Length / Height, External:2.38mm; Marking, SMD:MJD32C; Power, Ptot:15W; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

Изображения MJD32CT4G

MJD32CT4G, On Semiconductor MJD32CT4G, On Semiconductor MJD32CT4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,50 руб
от 101 шт. 12,00 руб
от 293 шт. 10,00 руб
от 638 шт. 9,20 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом