Терраэлектроника

MJD50G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo400V
Current, Ic Continuous a Max1A
Voltage, Vce Sat Max1V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min25
ft, Typ10MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Application CodePGP
Current, Ic Max1A
Current, Ic hFE0.2A
Depth, External10.28mm
Length / Height, External2.38mm
Marking, SMDMJD50
Power, Ptot15W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo500V
Width, External6.73mm
ft, Min10MHz


MJD50G, On Semiconductor

Параметры MJD50G

НаименованиеMJD50G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул278369
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD50G, доступные на складе

  • Изображение  MJD50T4G

    MJD50T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Continuous Collector Current, Ic:1A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):30V; Power Dissipation, Pd:15W; DC Current Gain Min (hfe):150

Изображения MJD50G

MJD50G, On Semiconductor MJD50G, On Semiconductor MJD50G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
26,00 руб
от 52 шт. 22,50 руб
от 150 шт. 19,50 руб
от 300 шт. 18,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом