Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30KD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT-транзистор+диод. 600V. 28A


IRG4BC30KD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30KD-S

Наименование IRG4BC30KD-S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 27735
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRG4BC30KD-S, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30KDSTRRP

    IRG4BC30KDSTRRP
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

  • Изображение  IRG4BC30KD-STRL

    IRG4BC30KD-STRL
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

  • Изображение  IRG4BC30KDSTRLP

    IRG4BC30KDSTRLP
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

  • Изображение  IRG4BC30KD-SPBF

    IRG4BC30KD-SPBF
    INFIN

    IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:28A; Voltage, Vce Sat Max:2.21V; Power Dissipation:100W;…

Изображения IRG4BC30KD-S

IRG4BC30KD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30KD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30KD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
270,00 руб
от 6 шт. 236,00 руб
от 15 шт. 203,00 руб
от 33 шт. 186,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом