Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF3710ZSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont59A
Resistance, Rds On0.018ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2900pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse240A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas170mJ
Marking, SMDF3710
Power Dissipation160W
Power, Pd160W
Time, trr Typ50ns
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


IRF3710ZSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3710ZSPBF

НаименованиеIRF3710ZSPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул276538
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF3710ZSPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFS59N10DPBF

    IRFS59N10DPBF
    INFIN

    MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.025ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:236A; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:59N10; Power Dissipation:200W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRF1310NSTRLPBF

    IRF1310NSTRLPBF
    INFIN

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:42A; On Resistance, Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D2-Pak; Power Dissipation, Pd:160W

  • Изображение  IRF3710SPBF

    IRF3710SPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 57A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:46A; Resistance, Rds On:0.028ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:180A; Depth, External:15.49mm; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:IRF3601S; Power Dissipation:150W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  STB40NF10LT4

    STB40NF10LT4
    ST

    MOSFET, N CH, 100V, 40A, D2PAK

  • Изображение  IRFS59N10DTRLP

    IRFS59N10DTRLP
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFully Characterized Avalanche Voltage a…

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF3710ZSPBF

IRF3710ZSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3710ZSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
106,00 руб
от 13 шт. 92,50 руб
от 37 шт. 79,50 руб
от 80 шт. 73,00 руб
Наличие на складе
2750 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом