Терраэлектроника

IRFB3206PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 60V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont210A
Resistance, Rds On0.003ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number3206
Charge, Gate N-channel120nC
Current, Idm Pulse840A
Pins, No. of3
Power Dissipation300mW
Power, Pd300W
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


Параметры IRFB3206PBF

НаименованиеIRFB3206PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул276199
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFB3206PBF, доступные на складе

  • Изображение  STP260N6F6

    STP260N6F6
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 120 А; Rси(вкл): 2.4...3 мОм; @Uзатв(ном): 4...6 В; Uзатв(макс): 20 В

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

  • Изображение  IRFB3006PBF

    IRFB3006PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:270A; Resistance, Rds On:2.1mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
89,00 руб
от 16 шт. 78,00 руб
от 50 шт. 67,00 руб
от 100 шт. 61,50 руб
Наличие на складе
878 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом