Терраэлектроника

IRF1310N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:41A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:160A; Device Marking:IRF1310N; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:170W; Power, Pd:170W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V


IRF1310N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1310N

НаименованиеIRF1310N
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул27440
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Корпус
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток

Аналоги IRF1310N, доступные на складе

  • Изображение  IRF3710ZPBF

    IRF3710ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:2900pF; Current, Idm Pulse:240A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:170mJ; Pins, No.…

  • Изображение  STP35NF10

    STP35NF10
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 35 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 55 нКл

  • Изображение  IRF1310NPBF

    IRF1310NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:41A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:160A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  STP40NF10L

    STP40NF10L
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 33 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 46 нКл

Изображения IRF1310N

IRF1310N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1310N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
85,50 руб
от 16 шт. 75,00 руб
от 50 шт. 64,50 руб
от 100 шт. 59,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом