Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds100V
Continuous Drain Current, Id75A
On Resistance, Rds(on)0.008ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseTO-247


HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры HUF75652G3

Наименование HUF75652G3
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 27415
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Изображения HUF75652G3

HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp. HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом