Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds100V
Continuous Drain Current, Id75A
On Resistance, Rds(on)0.008ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseTO-247


HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры HUF75652G3

Наименование HUF75652G3
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 27415
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id

Изображения HUF75652G3

HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp. HUF75652G3, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом