Терраэлектроника

IRFD110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, DIL

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont1A
Resistance, Rds On0.54ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse8A
Device MarkingIRFD110PBF
Pins, No. of4
Pitch, Lead2.54mm
Pitch, Row7.62mm
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V


IRFD110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFD110PBF

НаименованиеIRFD110PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул273156
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
22,10 руб
от 61 шт. 19,30 руб
от 200 шт. 16,60 руб
от 400 шт. 15,20 руб
Наличие на складе
2284 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом