Терраэлектроника

IRF1010EPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:170W; Power, Pd:170W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.012ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.9°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V


IRF1010EPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010EPBF

НаименованиеIRF1010EPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул272451
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF1010EPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF1018EPBF

    IRF1018EPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

  • Изображение  IRF1010E

    IRF1010E
    INFIN

    MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
50,00 руб
от 29 шт. 43,50 руб
от 100 шт. 37,50 руб
от 200 шт. 34,50 руб
Наличие на складе
1078 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом