Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1010EPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:170W; Power, Pd:170W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.012ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.9°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V


IRF1010EPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010EPBF

Наименование IRF1010EPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 272451
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF1010EPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF1018EPBF

    IRF1018EPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

  • Изображение  IRF1010E

    IRF1010E
    INFIN

    MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:81A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:330A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  IPP093N06N3GXKSA1

    IPP093N06N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
48,50 руб
от 29 шт. 42,40 руб
от 100 шт. 36,40 руб
от 200 шт. 33,40 руб
Наличие на складе
304 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом