Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On0.012ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse290A
Pins, No. of3
Power Dissipation47W
Power, Pd47W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max55V


IRFI1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI1010NPBF

Наименование IRFI1010NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 272135
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Серия

Документация для IRFI1010NPBF

Аналоги IRFI1010NPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFI1010N

    IRFI1010N
    INFIN

    MOSFET, N FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:44A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220 Fullpak; Current, Idm Pulse:290A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
70,50 руб
от 49 шт. 60,50 руб
от 106 шт. 55,50 руб
Наличие на складе
497 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом