Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont44A
Resistance, Rds On0.012ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse290A
Pins, No. of3
Power Dissipation47W
Power, Pd47W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max55V


IRFI1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI1010NPBF

НаименованиеIRFI1010NPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул272135
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFI1010NPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFI1010N

    IRFI1010N
    INFIN

    MOSFET, N FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:44A; Resistance, Rds On:0.012ohm; Case Style:TO-220 Fullpak; Current, Idm Pulse:290A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
76,00 руб
от 18 шт. 66,50 руб
от 50 шт. 57,00 руб
от 100 шт. 52,50 руб
Наличие на складе
497 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом