Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4P254SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces250V
Current, Ic Continuous a Max98A
Voltage, Vce Sat Max1.5V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed196A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max940ns
Time, Rise44ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo250V


IRG4P254SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4P254SPBF

НаименованиеIRG4P254SPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул271228
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRG4P254SPBF, доступные на складе

Изображения IRG4P254SPBF

IRG4P254SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4P254SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
584,00 руб
от 3 шт. 511,00 руб
от 7 шт. 438,00 руб
от 15 шт. 402,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом