Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BD435, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 32 В
UКЭ(пад) 600 мВ
IК(макс) 4 А
Pрасс 36 Вт
Fгран 3 МГц


BD435, STMicroelectronics

Параметры BD435

НаименованиеBD435
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул269277
Корпус
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD435, доступные на складе

  • Изображение  BD435G

    BD435G
    ONS

    Биполярный транзистор общего назначения

Сопутствующие товары для BD435

  • Изображение  BD436

    BD436
    NXP

    TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:32V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:-0.5V; Power Dissipation:36W; Hfe, Min:50; ft, Typ:3MHz; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:4A; Current, Ic hFE:2A; Device Marking:BD436; Pins, No.…

  • Изображение  BD436

    BD436
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 32 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 36 Вт; Fгран: 3 МГц; h21: от 130

  • Изображение  BD436

    BD436
    ТРАНЗИСТ

    TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:32V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:-0.5V; Power Dissipation:36W; Hfe, Min:50; ft, Typ:3MHz; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:4A; Current, Ic hFE:2A; Device Marking:BD436; Pins, No.…

Изображения BD435

BD435, STMicroelectronics BD435, STMicroelectronics BD435, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,40 руб
от 82 шт. 14,30 руб
от 250 шт. 12,30 руб
от 500 шт. 11,30 руб
Наличие на складе
362 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом