Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On0.1ohm
Case StyleTO-220AB
Current, Idm Pulse96A
Pins, No. of3
Power Dissipation170W
Power, Pd170W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V


IRFB23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB23N20D

НаименованиеIRFB23N20D
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул26842
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFB23N20D, доступные на складе

  • Изображение  IRFB23N20DPBF

    IRFB23N20DPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 200V, 24A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:24A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:96A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB4020PBF

    IRFB4020PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

Изображения IRFB23N20D

IRFB23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB23N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
113,00 руб
от 12 шт. 98,50 руб
от 35 шт. 84,50 руб
от 75 шт. 77,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом