Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRLR024NTR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: N, 55 В, Q1: N, 65mΩ / 10V, 17 А


IRLR024NTR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRLR024NTR

Наименование IRLR024NTR
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 26776
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRLR024NTR, доступные на складе

  • Изображение  IRLR024NTRRPBF

    IRLR024NTRRPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

  • Изображение  IRLR024NTRPBF

    IRLR024NTRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:17A; On Resistance, Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

  • Изображение  IRLR024NTRLPBF

    IRLR024NTRLPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

  • Изображение  IRLR024ZPBF

    IRLR024ZPBF
    INFIN

    MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:16A; Resistance, Rds On:58mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRLR024N

    IRLR024N
    INFIN

    Полевой транзистор. 55V. 17A.

Изображения IRLR024NTR

IRLR024NTR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR024NTR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR024NTR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
29,00 руб
от 119 шт. 24,80 руб
от 258 шт. 22,80 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом