Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6628TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ25V
Current, Id Cont27A
Resistance, Rds On3.3mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.9V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Base Number6628
Current, Id Cont @ 70°C22A
Current, Idm Pulse220A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas38mJ
Power Dissipation2.8mW
Temperature, Storage Max150°C
Temperature, Storage Min-40°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, Fall6.7ns
Time, Rise83ns
Voltage, Vds25V


Параметры IRF6628TR1PBF

Наименование IRF6628TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 267146
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

Документация для IRF6628TR1PBF

Аналоги IRF6628TR1PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
115,00 руб
от 13 шт. 101,00 руб
от 36 шт. 86,00 руб
от 77 шт. 79,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом