Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB25NM50N, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 22 А
Rси(вкл) 0.14 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 84 нКл


STB25NM50N, STMicroelectronics

Параметры STB25NM50N

Наименование STB25NM50N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 266842
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Vgs для измерения Rds(on)

Изображения STB25NM50N

STB25NM50N, STMicroelectronics STB25NM50N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
270,00 руб
от 13 шт. 232,00 руб
от 28 шт. 213,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом