Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STB25NM50N, STMicroelectronics

OBS Позиция снята с производства

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 500 В
Iс(25°C) 22 А
Rси(вкл) 0.14 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 84 нКл


STB25NM50N, STMicroelectronics

Параметры STB25NM50N

Наименование STB25NM50N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 266842
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Изображения STB25NM50N

STB25NM50N, STMicroelectronics STB25NM50N, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
321,00 руб
от 5 шт. 281,00 руб
от 13 шт. 241,00 руб
от 28 шт. 221,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом