Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRS2109PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET DRIVER HALF-BRIDGE 8DIP; Case Style:DIP; Temperature, Operating Range:-40°C to +125°C; Termination Type:Through Hole

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
  • Gate drive supply range from 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout for both channels
  • 3.3 V, 5 V, and 15 V input logic compatible
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched propagation delay for both channels
  • High-side output in phase with IN input
  • Logic and power ground +/- 5 V offset.
  • Internal 540 ns deadtime, and programmable up to 5 µs with one external RDT resistor (IRS21094)
  • Lower di/dt gate driver for better noise immunity
  • Shutdown input turns off both channels.
  • RoHS compliant

IRS2109PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRS2109PBF

Наименование IRS2109PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 266263
Макс. выходной ток нарастания
Макс. выходной ток спада
Макс. напряжение смещения
Кол-во верхних каналов
Кол-во нижних каналов
Корпус
RoHS Phthalates Compliant
toff ()
ton ()
Тип устройства
Напряжение питания Max
Напряжение питания Min
Пиковый выходной ток
Конфигурация
Тmin,°C
Тмакс,°C
Кол-во выводов

Изображения IRS2109PBF

IRS2109PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRS2109PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRS2109PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRS2109PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
166,00 руб
от 21 шт. 142,00 руб
от 50 шт. 131,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом