Терраэлектроника

IRF6629TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ25V
Current, Id Cont29A
Resistance, Rds On2.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Base Number6629
Current, Id Cont @ 70°C23
Current, Idm Pulse230A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas1170mJ
Power Dissipation2.8mW
Temperature, Storage Max150°C
Temperature, Storage Min-40°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, Fall7.4ns
Time, Rise67ns
Voltage, Vds25V


Параметры IRF6629TR1PBF

НаименованиеIRF6629TR1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул265506
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF6629TR1PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
120,00 руб
от 12 шт. 105,00 руб
от 33 шт. 89,50 руб
от 72 шт. 82,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом