Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6629TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ25V
Current, Id Cont29A
Resistance, Rds On2.7mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1.8V
Case StyleMX
Termination TypeSMD
Base Number6629
Current, Id Cont @ 70°C23
Current, Idm Pulse230A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas1170mJ
Power Dissipation2.8mW
Temperature, Storage Max150°C
Temperature, Storage Min-40°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, Fall7.4ns
Time, Rise67ns
Voltage, Vds25V


Параметры IRF6629TR1PBF

Наименование IRF6629TR1PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 265506
Vgs для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги IRF6629TR1PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
125,00 руб
от 12 шт. 110,00 руб
от 33 шт. 93,50 руб
от 72 шт. 86,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом