Терраэлектроника

IRF6641TR1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MZ

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont4.6A
Resistance, Rds On59.9mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleMZ
Termination TypeSMD
Base Number6641
Current, Id Cont @ 70°C3.7A
Current, Idm Pulse37A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas46mJ
Power Dissipation2.8mW
Temperature, Storage Max150°C
Temperature, Storage Min-40°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, Fall65ns
Time, Rise11ns
Voltage, Vds200V


Параметры IRF6641TR1PBF

НаименованиеIRF6641TR1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул265505
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF6641TR1PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
181,50 руб
от 8 шт. 159,00 руб
от 22 шт. 136,00 руб
от 48 шт. 125,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом