Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BC847BDW1T1G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)200V
DC Current Gain Min (hfe)200
Package/CaseSOT-363
C-E Breakdown Voltage45V
Collector Current0.1A
Frequency Min0.38MHz


BC847BDW1T1G, On Semiconductor

Параметры BC847BDW1T1G

НаименованиеBC847BDW1T1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул264243
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Макс. рабочая частота
Корпус
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BC847BDW1T1G, доступные на складе

  • Изображение  BC847CDW1T1G

    BC847CDW1T1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор общего назначения

  • Изображение  BC847BS.115

    BC847BS.115
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, DUAL, NPN, 45V, SC-88

  • Изображение  BC847BDW1T3G

    BC847BDW1T3G
    ONS

    Биполярный транзистор общего назначения

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,80 руб
от 800 шт. 1,50 руб
от 2300 шт. 1,30 руб
от 5000 шт. 1,20 руб
Наличие на складе
30724 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом