Терраэлектроника

BC847BDW1T1G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)200V
DC Current Gain Min (hfe)200
Package/CaseSOT-363
C-E Breakdown Voltage45V
Collector Current0.1A
Frequency Min0.38MHz


BC847BDW1T1G, On Semiconductor

Параметры BC847BDW1T1G

НаименованиеBC847BDW1T1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул264243
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги BC847BDW1T1G, доступные на складе

  • Изображение  BC847BS.115

    BC847BS.115
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, DUAL, NPN, 45V, SC-88

  • Изображение  BC847CDW1T1G

    BC847CDW1T1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор общего назначения

  • Изображение  BC847BDW1T3G

    BC847BDW1T3G
    ONS

    Биполярный транзистор общего назначения

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,60 руб
от 900 шт. 1,40 руб
от 2500 шт. 1,20 руб
от 6000 шт. 1,10 руб
Наличие на складе
25097 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом