Терраэлектроника

IRFB3307PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 75V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:130A; Resistance, Rds On:5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:510A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:250W; Power, Pd:250W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:75V


IRFB3307PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB3307PBF

НаименованиеIRFB3307PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул261997
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение затвора
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs

Аналоги IRFB3307PBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
99,00 руб
от 14 шт. 87,00 руб
от 40 шт. 74,50 руб
от 100 шт. 68,50 руб
Наличие на складе
31 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом