Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30FPBF

Наименование IRG4BC30FPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 261410
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов

Аналоги IRG4BC30FPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30F

    IRG4BC30F
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:31A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
84,00 руб
от 41 шт. 72,00 руб
от 100 шт. 66,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом