Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30FPBF

НаименованиеIRG4BC30FPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул261410
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4BC30FPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30F

    IRG4BC30F
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:31A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,50 руб
от 14 шт. 85,50 руб
от 40 шт. 73,00 руб
от 100 шт. 67,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом