Терраэлектроника

IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30FPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30FPBF

НаименованиеIRG4BC30FPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул261410
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4BC30FPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30F

    IRG4BC30F
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:31A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
96,00 руб
от 15 шт. 84,00 руб
от 50 шт. 72,00 руб
от 100 шт. 66,00 руб
Наличие на складе
54 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом