Терраэлектроника

NAND01GW3B2AN6E, ST Microelectronics

Энергонезависимая память - [TSOP-48]; Тип: FLASH NAND; Интерфейс: параллельный; Объём: 1 Гбит; Организация: 128Mx8; Напряжение: 2.7...3.6 В; Траб: -40...85 °C


Параметры NAND01GW3B2AN6E

НаименованиеNAND01GW3B2AN6E
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул260414
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом