Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI9410BDY, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET, N, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont6.2A
Resistance, Rds On0.024ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ1V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Charge, Gate N-channel15nC
Current, Idm Pulse30A
Pins, No. of8
Power, Pd1.5W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.024ohm
Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V0.033ohm
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, Fall11ns
Time, Rise15ns
Time, t Off30ns
Time, t On10ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V


SI9410BDY, Vishay Intertechnology Inc.

Параметры SI9410BDY

НаименованиеSI9410BDY
ПроизводительVishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул260354

Аналоги SI9410BDY, доступные на складе

  • Изображение  IRF8707PBF

    IRF8707PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.0119ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

Изображения SI9410BDY

SI9410BDY, Vishay Intertechnology Inc. SI9410BDY, Vishay Intertechnology Inc. SI9410BDY, Vishay Intertechnology Inc.
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом