Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF3710STRRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current, Id57A
Package/CaseD2-PAK
Power Dissipation, Pd3.8W
Continuous Drain Current - 100 Deg C40A
Drain Source On Resistance @ 10V23mohm


Параметры IRF3710STRRPBF

Наименование IRF3710STRRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 260280
Ток стока Id
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF3710STRRPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF3710ZSPBF

    IRF3710ZSPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом