Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF3710STRLPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont57A
Resistance, Rds On23mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD


Параметры IRF3710STRLPBF

Наименование IRF3710STRLPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 260279
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF3710STRLPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF3710ZSPBF

    IRF3710ZSPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  IRF3710STRRPBF

    IRF3710STRRPBF
    INFIN

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:57A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:3.8W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:40A; Drain Source On Resistance @ 10V:23mohm

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом